#삼성전자 #IBM #반도체
1. IBM 삼성전자가 공동 연구를 통해 GAA 방식으로 칩 성능을 2배가량 올릴 수 있는 기술인 'VTFET'를 발표함.
2. VTFET는 기존 핀펫과 달리 수직 구조로 전류가 흘러 이를 통해 칩 면적에서도 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있음.
3. VTFET는 수평 방식 대비 GAA 기술을 구현하는 데 용이함. 이에 따라 핀펫 공정 칩 대비 GAA 공정을 통해 2배 높은 성능, 또는 전력 사용량 최대 85%를 절감할 수 있음.
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